TY  - CHAP
U1  - Konferenzveröffentlichung
A1  - Pfost, Martin
A1  - Unger, Christian
ED  - Kamerewerd, Franz Josef
T1  - Messung und Simulation der Kurzschlussfestigkeit von CoolMOS-Leistungstransistoren
T2  - 44. Kolloquium Halbleiter-Leistungsbauelemente und ihre systemtechnische Anwendung
N2  - Das Verhalten eines CoolMOS-Transistors im Kurzschlussfall wurde experimentell untersucht. Durch numerische Simulation konnte ein tiefergehendes Verständnis aufgebaut werden. Messungen zeigen aber auch, dass SiC-MOSFETs gleicher Spannungs- und Widerstandsklassen noch robuster sein können.
Y1  - 2015
SP  - 1
EP  - 14
S1  - 14
ER  -