@inproceedings{SeidelCostaWicht2015,
  author    = {Seidel, Achim and Costa, Marco and Wicht, Bernhard},
  title     = {Hochintegrierter galvanisch getrennter Gatetreiber mit induktiver Energie- und Signal{\"u}bertragung geeignet f{\"u}r 600V-Anwendungen},
  booktitle = {17. Workshop Analogschaltungen am 5. und 6. M{\"a}rz 2015 / veranstaltet gemeinsam von der Technischen Universit{\"a}t Darmstadt und der Brandenburgischen Technischen Universit{\"a}t Cottbus-Senftenberg},
  institution = {Technik},
  pages     = {6 -- 7},
  year      = {2015},
  abstract  = {Es wird ein hochintegrierter Gatetreiber f{\"u}r 600V-Anwendungen mit einer galvanischen Isolation zwischen der Ansteuerelektronik und der Treiberseite vorgestellt. Eine Besonderheit ist die bidirektionale Signal{\"u}bertragung und die Energieversorgung {\"u}ber einen einzigen Transformator. Die Treiberansteuersignale werden mittels 10/20 MHz Frequenzmodulation {\"u}bertragen. Die Signalr{\"u}ck{\"u}bertragung ist in Form einer 1Mbit/s Amplitudenmodulation realisiert. Die Energie{\"u}bertragung {\"u}ber den Transformator erlaubt ein dauerhaftes Einschalten des Treibers. Der Energiebedarf w{\"a}hrend des Schaltvorgangs wird haupts{\"a}chlich durch eine Bootstrapschaltung bereitgestellt. Eine weitere Besonderheit ist die Verwendung einer fl{\"a}cheneffizienten Integration einer NMOS Treiberausgangsstufe. Der Gatetreiber wurde in einer 180nm Hochvolt-BiCMOS-Technologie hergestellt. Messungen best{\"a}tigen die Funktion des Treibers.},
  language  = {de}
}