Volltext-Downloads (blau) und Frontdoor-Views (grau)

Substratkoppeln in schnell schaltenden integrierten Leistungsendstufen

  • Durch schnell schaltende Leistungsendstufen werden durch kapazitive Umladeströme Störungen ins Substrat und in empfindliche Schaltungselemente eingekoppelt, die dort zur Störung der Funktion führen können. In dieser Arbeit werden Substratstrukturen zur gezielten Ableitung dieser Störungen vorgestellt und ihre Wirksamkeit mit Hilfe von Device Simulation evaluiert. Ohne Ableitstrukturen kann eine Potentialanhebung des Substrats bis zu 20 V entstehen. Die Untersuchungen belegen, dass die Potentialanhebung durch p-Typ Guard-Ringe um 75 %, durch leitende Trenches um 88 % sowie durch Rückseitenmetallisierung um nahezu 100 % reduziert werden kann.

Download full text files

Export metadata

Additional Services

Share in Twitter Search Google Scholar

Statistics

frontdoor_oas
Metadaten
Author of HS ReutlingenRindfleisch, Christoph; Wittmann, Jürgen; Wicht, Bernhard
URN:urn:nbn:de:bsz:rt2-opus4-4206
URL:http://www.mpc.belwue.de/Public/WorkshopBand52
ISSN:1862-7102
Erschienen in:MPC / Multi-Projekt-Chip-Gruppe Baden-Württemberg : Tagungsband zum Workshop der Multiprojekt-Chip-Gruppe Baden-Württemberg ; 52. Workshop on Microelectronics, 11. Juli 2014, Hochschule Künzelsau, Germany
Publisher:Hochschule Ulm
Place of publication:Ulm
Editor:Gerhard Forster
Document Type:Conference Proceeding
Language:German
Year of Publication:2014
Tag:High-Side Transistor; Leistungsendstufe; Störeinkopplung; Substratkoppeln
Page Number:5
First Page:15
Last Page:19
DDC classes:621 Angewandte Physik
Open Access?:Ja
Licence (German):License Logo  Open Access