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High efficiency gate drive circuit for power transistors

Verbesserte Ansteuerung von Leistungshalbleitern

  • An improved gate drive circuit is provided for a power device, such as a transistor. Tue gate driver circuit may in -clude: a current control circuit; a first secondary current source that is used to control the switching transient during turn off of the power transistor and a second secondary current source that is used to control the switching transient during turn on of the power transistor. In operation, the current control circuit operates, during turn on ofthe power transistor, to source a gate drive current to a control node ofthe power transistor and, during turn off ofthe power transistor, to sink a gate drive current from the control node of the power transistor. The first and second secondary current sources adjust the gate drive current to control the voltage or current rate of change and thereby the overshoot during the switching transient.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein verbessertes Verfahren und einen verbesserten Gate-Treiber zur Ansteuerung eines Leistungsschaltteils, welches zumindest einen Isolated-Gate-Bipolartransistor mit einem Gate (18) und einer mittels des Gates schaltbaren Kollektor-Emitter-Strecke und eine zur Kollektor-Emitter-Strecke in Serie geschaltete Schutzdiode (20) umfasst, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: – ausgehend von einem nicht-leitenden Zustand der Kollektor-Emitter-Strecke Laden des Gates (18) mittels eines Gate-Stroms einer ersten Polarität zum teilweisen Freischalten der Kollektor-Emitter-Strecke; – teilweises Entladen des Gates (18) mittels eines Gate-Stroms einer zweiten, zur ersten entgegengesetzten Polarität; und – weiteres Laden des Gates mittels eines Gate-Stroms der ersten Polarität zum vollständigen Freischalten der Kollektor-Emitter-Strecke.

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Metadaten
Name:Pfost, Martin; Cenusa, Marius; Cretu, Gabriel
URL:https://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=bibdat&docid=DE102013015723B3
Document Type:Patent
Language:English
Year of Publication:2014
Pagenumber:17
Patent Number:DE102013015723B3
Dewey Decimal Classification:621 Angewandte Physik
Open Access:Nein