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Messung und Simulation der Kurzschlussfestigkeit von CoolMOS-Leistungstransistoren

  • Das Verhalten eines CoolMOS-Transistors im Kurzschlussfall wurde experimentell untersucht. Durch numerische Simulation konnte ein tiefergehendes Verständnis aufgebaut werden. Messungen zeigen aber auch, dass SiC-MOSFETs gleicher Spannungs- und Widerstandsklassen noch robuster sein können.

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Metadaten
Name:Pfost, Martin; Unger, Christian
Erschienen in:44. Kolloquium Halbleiter-Leistungsbauelemente und ihre systemtechnische Anwendung
Editor:Franz Josef Kamerewerd
Document Type:Conference Proceeding
Language:German
Year of Publication:2015
Pagenumber:14
First Page:1
Last Page:14
Dewey Decimal Classification:621 Angewandte Physik
Open Access:Nein