Substratkoppeln in schnell schaltenden integrierten Leistungsendstufen
- Durch schnell schaltende Leistungsendstufen werden durch kapazitive Umladeströme Störungen ins Substrat und in empfindliche Schaltungselemente eingekoppelt, die dort zur Störung der Funktion führen können. In dieser Arbeit werden Substratstrukturen zur gezielten Ableitung dieser Störungen vorgestellt und ihre Wirksamkeit mit Hilfe von Device Simulation evaluiert. Ohne Ableitstrukturen kann eine Potentialanhebung des Substrats bis zu 20 V entstehen. Die Untersuchungen belegen, dass die Potentialanhebung durch p-Typ Guard-Ringe um 75 %, durch leitende Trenches um 88 % sowie durch Rückseitenmetallisierung um nahezu 100 % reduziert werden kann.
| Author of HS Reutlingen | Rindfleisch, Christoph; Wittmann, Jürgen; Wicht, Bernhard |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:bsz:rt2-opus4-4206 |
| URL: | https://www.mpc-gruppe.de/workshopbaende |
| ISSN: | 1862-7102 |
| Erschienen in: | MPC / Multi-Projekt-Chip-Gruppe Baden-Württemberg : Tagungsband zum Workshop der Multiprojekt-Chip-Gruppe Baden-Württemberg ; 52. Workshop on Microelectronics, 11. Juli 2014, Hochschule Künzelsau, Germany |
| Publisher: | Hochschule Ulm |
| Place of publication: | Ulm |
| Editor: | Gerhard Forster |
| Document Type: | Conference proceeding |
| Language: | German |
| Publication year: | 2014 |
| Tag: | High-Side Transistor; Leistungsendstufe; Störeinkopplung; Substratkoppeln |
| Page Number: | 5 |
| First Page: | 15 |
| Last Page: | 19 |
| DDC classes: | 621 Angewandte Physik |
| Open access?: | Ja |
| Licence (German): |  Open Access |
