Messung und Simulation der Kurzschlussfestigkeit von CoolMOS-Leistungstransistoren
- Das Verhalten eines CoolMOS-Transistors im Kurzschlussfall wurde experimentell untersucht. Durch numerische Simulation konnte ein tiefergehendes Verständnis aufgebaut werden. Messungen zeigen aber auch, dass SiC-MOSFETs gleicher Spannungs- und Widerstandsklassen noch robuster sein können.
| Author of HS Reutlingen | Pfost, Martin; Unger, Christian |
|---|---|
| Erschienen in: | 44. Kolloquium Halbleiter-Leistungsbauelemente und ihre systemtechnische Anwendung |
| Editor: | Franz Josef Kamerewerd |
| Document Type: | Conference proceeding |
| Language: | German |
| Publication year: | 2015 |
| Page Number: | 14 |
| First Page: | 1 |
| Last Page: | 14 |
| DDC classes: | 621 Angewandte Physik |
| Open access?: | Nein |
