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Durch schnell schaltende Leistungsendstufen werden durch kapazitive Umladeströme Störungen ins Substrat und in empfindliche Schaltungselemente eingekoppelt, die dort zur Störung der Funktion führen können. In dieser Arbeit werden Substratstrukturen zur gezielten Ableitung dieser Störungen vorgestellt und ihre Wirksamkeit mit Hilfe von Device Simulation evaluiert. Ohne Ableitstrukturen kann eine Potentialanhebung des Substrats bis zu 20 V entstehen. Die Untersuchungen belegen, dass die Potentialanhebung durch p-Typ Guard-Ringe um 75 %, durch leitende Trenches um 88 % sowie durch Rückseitenmetallisierung um nahezu 100 % reduziert werden kann.
Es wird das Ziel verfolgt, eine Möglichkeit für die sichere Wiederverwendbarkeit von Schaltungen aus der OTA-Schaltungsklasse bereitzustellen. Hierfür werden ausgewählte OTA-Schaltungstopologien für die "Copy-and-Paste"-Methode vorgestellt. Es wurde im industriellen Umfeld gezeigt, dass sie sich unter der Voraussetzung einer repräsentativen Topologieauswahl – vordimensioniert für den typischen Anwendungsbereich – schon in dieser Form für die Wiederverwendung eignen.
A millimeter-wave power amplifier concept in an advanced silicon germanium (SiGe) BiCMOS technology is presented. The goal of the concept is to investigate the impact of physical limitations of the used heterojunction bipolar transistors (HBT) on the performance of a 77 GHz power amplifier. High current behavior, collectorbase breakdown and transistor saturation can be forced with the presented design. The power amplifier is manufactured in an advanced SiGe BiCMOS technology at Infineon Technologies AG with a maximum transit frequency fT of around 250 GHz for npn HBT’s [1]. The simulation results of the power amplifier show a saturated output power of 16 dBm at a power added efficiency of 13%. The test chip is designed for a supply voltage of 3.3 V and requires a chip size of 1.448 x 0.930 mm².