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The capability of the method of Immersion transmission ellipsometry (ITE) (Jung et al. Int Patent WO, 2004/109260) to not only determine three-dimensional refractive indices in anisotropic thin films (which was already possible in the past), but even their gradients along the z-direction (perpendicular to the film plane) is investigated in this paper. It is shown that the determination of orientation gradients in deep-sub-lm films becomes possible by applying ITE in combination with reflection ellipsometry. The technique is supplemented by atomic force microscopy for measuring the film thickness. For a photooriented thin film, no gradient was found, as expected. For a photo-oriented film, which was subsequently annealed in a nematic liquid crystalline phase, an order was found similar to the one applied in vertically aligned nematic displays, with a tilt angle varying along the z-direction. For fresh films, gradients were only detected for the refractive index perpendicular to the film plane, as expected.
In der Mikroelektronik werden Chips häufig in Mold-Gehäusen verpackt. Die elektrischen Verbindungen vom Chip zu den Anschlussbeinchen des Gehäuses werden mit Bonddrähten realisiert. Für die Berechnung der Gleichgewichtstemperatur in einem Bonddraht bei konstantem Strom sowie von Temperaturverläufen bei transienten Strömen ist die herkömmliche FEM-Methode langsam und unhandlich. Daher wurde der Bondrechner entwickelt, der ein zylindersymmetrisches Ersatz-Modell für das Package in geeigneten mathematischen Gleichungen abbildet.
Im Gegensatz zum Bondrechner der ersten Generation [1], der auf den Gleichungen von [2] basiert, bietet ein neuer mathematischer Ansatz die Möglichkeit, eine endliche effektive Package-Größe, sowie einen endlichen Wärmeübergang zwischen Bonddraht und Mold-Masse zu berücksichtigen. Ebenso wurde die Berechnung der Interaktion von mehreren benachbarten Drähten verfeinert. Die Berechnung von beliebigen transienten Pulsformen mittlerer Länge wurde ebenfalls verbessert. Eine quadratische Komponente in der Temperaturabhängigkeit des spezifischen Widerstandes des Drahtmaterials kann jetzt ebenfalls berücksichtigt werden.
Die Ergebnisse wurden erfolgreich mit FEM-Berechnungen verglichen und die Geschwindigkeit der Berechnung ist um Größenordnungen schneller als mit kommerziellen FEM-Programmen.